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      銦鎵砷 InGaAs 蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型) 0.9-1.7um  

      銦鎵砷 InGaAs 蓋革模式雪崩光電二極管(內置TEC制冷型) 0.9-1.7um
      InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。
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       Lily@microphotons.com
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      產品型號 1
      貨號 操作 名稱
      E80042039  InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (內置TEC制冷型)   [PDF] 光譜響應范圍0.9~1.7μm;響應度 @1550nm: 0.85 A/W; 6針TO8 封裝;SMF-28E 光纖耦合;FC/APC; 帶 TCE    價格 : 請聯系客服 庫存/貨期:請咨詢客服
      總覽

      InGaAs 雪崩光電二極管(APD)是短波近紅外單 光子檢測的專用器件,可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求,實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

      產品特點

      ● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

      ● 高探測效率、低暗計數率 

      ● 6 pin TO8

      產品應用

      ● 弱光探測 

      ● 量子保密通信 

      ● 生物醫療

      技術參數

      線性模式參數

      產品型號

      IGA-APD-GM104-TEC

      參數

      符號

      單位

      測試條件

      最小

      典型

      最大

      反向擊穿電壓

      VBR

      V

      22℃±3℃ ,ID =10μA

      60

      80

      90

      響應度

      Re

      A/W

      22℃±3℃,λ =1550nm ,M =1

      0.8

      0.85


      暗電流

      ID

      nA

      22℃±3℃,M =10


      0.1

      0.3

      電容

      C

      pF

      22℃±3℃ ,M =10, f=1MHz



      0.25

      擊穿電壓溫度系數

      η

      V/K

      -40℃ ~80℃,ID =10μA



      0.15


      蓋革模式參數

      參數

      單位

      測試條件

      最小

      典型

      最大

      單光子探測效率 PDE

      %

      -45℃ ,λ =1550nm ,0.1ph/pulse,泊松分布單光子源

      20



      暗計數率 DCR

       

      kHz

      -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



       

      20*

      后脈沖概率 APP


      -45℃,1ns門寬,2MHz門控重頻,1MHz光重頻,PDE=20%



      1× 10-3

      時間抖動Tj

      ps

      -45℃,1ns 門寬,2MHz門控重頻,PDE=20%



      100

      * 可提供不同等級規格產品


      室溫IV曲線

      BPD2.png

      DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)

      BPD3.png

      溫度系數

      BPD4.png

      電容電壓

      BPD5.png


      封裝外形、尺寸及引腳定義 TO8 (尾纖封裝)

      BPD6.png












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